Numéro de produit du fabricant:
US6M2GTR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
US6M2GTR-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Description détaillée:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Inventaire:
13526172
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Quantité
Minimum 1
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8bua
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SOUMETTRE
US6M2GTR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V, 20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.5A, 1A
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Puissance - Max
1W
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TUMT6
Numéro de produit de base
US6M2
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
US6M2GDKR
US6M2GCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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