R8010ANX
Numéro de produit du fabricant:

R8010ANX

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

R8010ANX-DG

Description:

MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventaire:

13524383
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SOUMETTRE

R8010ANX Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
560mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1750 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R8010

Fiche technique & Documents

Documents de fiabilité
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SPA11N80C3XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2180
NUMÉRO DE PIÈCE
SPA11N80C3XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.26
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QUANTITÉ DISPONIBLE
50
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7A60W,S4VX-DG
PRIX UNITAIRE
0.72
TYPE DE SUBSTITUT
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
998
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.67
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
378
NUMÉRO DE PIÈCE
STF10NM60ND-DG
PRIX UNITAIRE
0.87
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1871
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.74
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