Numéro de produit du fabricant:
NP109N055PUJ-E1B-AY
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NP109N055PUJ-E1B-AY-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Description détaillée:
N-Channel 55 V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
12860286
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SOUMETTRE
NP109N055PUJ-E1B-AY Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10350 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
AUIRFS3107TRL
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3091
NUMÉRO DE PIÈCE
AUIRFS3107TRL-DG
PRIX UNITAIRE
3.30
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