Numéro de produit du fabricant:
NP100P06PDG-E1-AY
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NP100P06PDG-E1-AY-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Description détaillée:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
12859983
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SOUMETTRE
NP100P06PDG-E1-AY Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15000 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NP100P06
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
NP100P06PDG-E1-AY-DG
2832-NP100P06PDG-E1-AY
559-NP100P06PDG-E1-AYCT
-1161-NP100P06PDG-E1-AYCT
559-NP100P06PDG-E1-AYTR
559-NP100P06PDG-E1-AYDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SUM110P06-07L-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
99907
NUMÉRO DE PIÈCE
SUM110P06-07L-E3-DG
PRIX UNITAIRE
1.59
TYPE DE SUBSTITUT
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