Numéro de produit du fabricant:
2SK1058-E
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK1058-E-DG
Description:
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12852973
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SOUMETTRE
2SK1058-E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
160 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
600 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
2SK1058
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDA18N50
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1564
NUMÉRO DE PIÈCE
FDA18N50-DG
PRIX UNITAIRE
1.66
TYPE DE SUBSTITUT
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