PJD35N06A-AU_L2_000A1
Numéro de produit du fabricant:

PJD35N06A-AU_L2_000A1

Product Overview

Fabricant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PJD35N06A-AU_L2_000A1-DG

Description:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
N-Channel 60 V 4.7A (Ta), 35A (Tc) 1.3W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventaire:

12973891
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SOUMETTRE

PJD35N06A-AU_L2_000A1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1680 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta), 75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
PJD35

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
3757-PJD35N06A-AU_L2_000A1TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
panjit

PJQ5472A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

onsemi

NTMFSC2D9N08H

T8 80V DFN8 5X6 DUAL COOL

infineon-technologies

IST019N08NM5AUMA1

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5

nexperia

PMPB10XNX

MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6