NVMFS5C410NWFET1G
Numéro de produit du fabricant:

NVMFS5C410NWFET1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVMFS5C410NWFET1G-DG

Description:

T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Description détaillée:
N-Channel 40 V 46A (Ta), 300A (Tc) 3.9W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventaire:

12974584
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SOUMETTRE

NVMFS5C410NWFET1G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
Automotive, AEC-Q101
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
46A (Ta), 300A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.92mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.9W (Ta), 166W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFS5C410NWFET1GCT
488-NVMFS5C410NWFET1GTR
488-NVMFS5C410NWFET1GDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NTMFS5C410NT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1
NUMÉRO DE PIÈCE
NTMFS5C410NT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.97
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

NTMFSS1D3N06CL

60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOW

panjit

PJP100P03_T0_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

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E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1