NTRV4101PT1G
Numéro de produit du fabricant:

NTRV4101PT1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTRV4101PT1G-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Description détaillée:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventaire:

4020 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12842997
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SOUMETTRE

NTRV4101PT1G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
675 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
420mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
NTRV4101

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
NTRV4101PT1GOSDKR
ONSONSNTRV4101PT1G
488-NTRV4101PT1GTR
NTRV4101PT1G-DG
NTRV4101PT1GOSTR-DG
488-NTRV4101PT1GCT
488-NTRV4101PT1GDKR
NTRV4101PT1GOSCT-DG
NTRV4101PT1GOSCT
NTRV4101PT1GOSDKR-DG
NTRV4101PT1GOSTR
2156-NTRV4101PT1G-OS

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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