Numéro de produit du fabricant:
NTMFS5H419NLT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFS5H419NLT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
Description détaillée:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 155A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
12846972
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTMFS5H419NLT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Ta), 155A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2900 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NTMFS5
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
NTMFS5H419NLT1G-DG
NTMFS5H419NLT1GOSTR
2832-NTMFS5H419NLT1GTR
NTMFS5H419NLT1GOSCT
NTMFS5H419NLT1GOSDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FCH125N60E
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
FDMS86252L
MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
FCP20N60_F080
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
