Numéro de produit du fabricant:
FDMS8560S
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS8560S-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Description détaillée:
N-Channel 25 V 30A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
12839279
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SOUMETTRE
FDMS8560S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
PowerTrench®, SyncFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Ta), 70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4350 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
FDMS85
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMS8560SDKR
FDMS8560SCT
2832-FDMS8560S
FDMS8560STR
FDMS8560S-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD16325Q5
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
5572
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD16325Q5-DG
PRIX UNITAIRE
0.85
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