Numéro de produit du fabricant:
PEMD6,115
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PEMD6,115-DG
Description:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventaire:
4000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12831971
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SOUMETTRE
PEMD6,115 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
300mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-666
Numéro de produit de base
PEMD6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1727-PEMD6,115DKR
PEMD6 T/R
PEMD6 T/R-DG
PEMD6,115-DG
1727-PEMD6,115TR
934056709115
2166-PEMD6,115-1727
1727-PEMD6,115CT
5202-PEMD6,115TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4990FE,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4990FE,LF(CT-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
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3926
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PRIX UNITAIRE
0.05
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PRIX UNITAIRE
0.08
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PRIX UNITAIRE
0.02
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