JANTXV2N6790U
Numéro de produit du fabricant:

JANTXV2N6790U

Product Overview

Fabricant:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

JANTXV2N6790U-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
Description détaillée:
N-Channel 200 V 2.8A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)

Inventaire:

12928364
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SOUMETTRE

JANTXV2N6790U Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
850mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/555
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
18-ULCC (9.14x7.49)
Emballage / Caisse
18-CLCC

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
JANTXV2N6790U-DG
150-JANTXV2N6790U
JANTXV2N6790U-MIL

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

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