Numéro de produit du fabricant:
APT17N80BC3G
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT17N80BC3G-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
13247758
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SOUMETTRE
APT17N80BC3G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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