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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
APT25M100J
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT25M100J-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Inventaire:
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13256468
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SOUMETTRE
APT25M100J Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
POWER MOS 8™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
330mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9835 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
545W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOTOP®
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
APT25M100
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
APT25M100J
High-Voltage Power Discretes and Modules
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN30N120P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN30N120P-DG
PRIX UNITAIRE
46.25
TYPE DE SUBSTITUT
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