2N2779
Numéro de produit du fabricant:

2N2779

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N2779-DG

Description:

POWER BJT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 30 A 200 W Stud Mount TO-63

Inventaire:

12981974
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SOUMETTRE

2N2779 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
30 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
250 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Courant - Coupure du collecteur (max.)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
-
Puissance - Max
200 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Stud Mount
Emballage / Caisse
TO-211MB, TO-63-4, Stud
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-63

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
150-2N2779

Classification environnementale et d'exportation

Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
microchip-technology

JAN2N4449UB

SMALL-SIGNAL BJT

nxp-semiconductors

BC817-16W,115

NOW NEXPERIA BC817-16W - SMALL S