Numéro de produit du fabricant:
IXTQ82N25P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTQ82N25P-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
5 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12821577
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SOUMETTRE
IXTQ82N25P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
82A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
IXTQ82
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW52NK25Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
444
NUMÉRO DE PIÈCE
STW52NK25Z-DG
PRIX UNITAIRE
3.37
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QUANTITÉ DISPONIBLE
800
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PRIX UNITAIRE
2.23
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