Numéro de produit du fabricant:
IXTA130N10T7
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTA130N10T7-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Description détaillée:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA)
Inventaire:
12822208
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SOUMETTRE
IXTA130N10T7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Trench
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
130A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5080 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-7 (IXTA)
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
IXTA130
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ650N10TL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
970
NUMÉRO DE PIÈCE
RSJ650N10TL-DG
PRIX UNITAIRE
2.94
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