Numéro de produit du fabricant:
IXFT26N100XHV
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFT26N100XHV-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 26A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventaire:
23 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12820656
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SOUMETTRE
IXFT26N100XHV Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
320mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3290 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
860mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268HV (IXFT)
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT26
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
-1402-IXFT26N100XHV
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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