Numéro de produit du fabricant:
IRFHS8242TRPBF
Product Overview
Fabricant:
International Rectifier
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFHS8242TRPBF-DG
Description:
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Inventaire:
177700 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946436
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SOUMETTRE
IRFHS8242TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
653 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-PQFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,689
Autres noms
ROCIRFIRFHS8242TRPBF
2156-IRFHS8242TRPBF
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMS7672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
IRF6722MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
