Numéro de produit du fabricant:
IRL6372TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRL6372TRPBF-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Inventaire:
13964 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12808963
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SOUMETTRE
IRL6372TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.1A
rds activé (max) @ id, vgs
17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1020pF @ 25V
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRL6372
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRL6372TRPBFDKR
IRL6372TRPBFTR
IRL6372TRPBFCT
SP001569038
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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