Numéro de produit du fabricant:
IRFSL23N20D
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFSL23N20D-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Description détaillée:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
12802991
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SOUMETTRE
IRFSL23N20D Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1960 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRFSL23N20D
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQI27N25TU
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
600
NUMÉRO DE PIÈCE
FQI27N25TU-DG
PRIX UNITAIRE
1.48
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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