Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
Haiti
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
Haiti
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IRFH7004TR2PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFH7004TR2PBF-DG
Description:
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Description détaillée:
N-Channel 40 V 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12804668
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRFH7004TR2PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
194 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6419 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-VQFN Exposed Pad
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IRFH7004TR2PBF-DG
Fiches techniques
IRFH7004TR2PBF
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
IRFH7004TR2PBFTR
IRFH7004TR2PBFCT
SP001554810
IRFH7004TR2PBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFU3704ZPBF
MOSFET N-CH 20V 60A IPAK
IRF7477TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRFB31N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
IPD90N06S4L06ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31