Numéro de produit du fabricant:
IRFB3077PBFXKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFB3077PBFXKMA1-DG
Description:
TRENCH 40<-<100V
Description détaillée:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Inventaire:
13269178
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SOUMETTRE
IRFB3077PBFXKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9400 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
370W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-904
Emballage / Caisse
TO-220-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP005732682
448-IRFB3077PBFXKMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certification DIGI
Produits Connexes
IAUC120N04S6N008ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
IPB70N10S312ATMA2
MOSFET_(75V 120V(
IRFH5053TRPBFXUMA1
TRENCH >=100V