Numéro de produit du fabricant:
IRFB11N50APBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFB11N50APBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12806089
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SOUMETTRE
IRFB11N50APBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1423 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
448-IRFB11N50APBF
SP001563792
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB11N50APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2122
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB11N50APBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.98
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB11N50APBF-BE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2600
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB11N50APBF-BE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.00
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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