Numéro de produit du fabricant:
IRF7601PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7601PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Description détaillée:
N-Channel 20 V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventaire:
12804991
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SOUMETTRE
IRF7601PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
650 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Micro8™
Emballage / Caisse
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SP001551458
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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