Numéro de produit du fabricant:
IRF5803D2TR
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF5803D2TR-DG
Description:
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Description détaillée:
P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12803635
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SOUMETTRE
IRF5803D2TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
FETKY™
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1110 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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