Numéro de produit du fabricant:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IQE013N04LM6CGSCATMA1-DG
Description:
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9-1
Inventaire:
5940 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001607
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SOUMETTRE
IQE013N04LM6CGSCATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 51µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3800 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-WHTFN-9-1
Emballage / Caisse
9-PowerWDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
6,000
Autres noms
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR
SP005559058
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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