Numéro de produit du fabricant:
IQE004NE1LM7ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IQE004NE1LM7ATMA1-DG
Description:
TRENCH <= 40V
Description détaillée:
N-Channel 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-5
Inventaire:
13240503
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SOUMETTRE
IQE004NE1LM7ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
15 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
58A (Ta), 379A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
rds activé (max) @ id, vgs
0.45mOhm @ 30A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 432µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 7 V
Vgs (max.)
±7V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6240 pF @ 7.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TSON-8-5
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IQE004NE1LM7ATMA1DKR
448-IQE004NE1LM7ATMA1CT
448-IQE004NE1LM7ATMA1TR
SP005574597
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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