Numéro de produit du fabricant:
IQD005N04NM6CGATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IQD005N04NM6CGATMA1-DG
Description:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Description détaillée:
N-Channel 40 V 58A (Ta), 610A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Inventaire:
4930 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12943342
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IQD005N04NM6CGATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
58A (Ta), 610A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.47mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1.449mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12000 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TTFN-9-U02
Emballage / Caisse
9-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IQD005
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IQD005N04NM6CGATMA1TR
448-IQD005N04NM6CGATMA1CT
448-IQD005N04NM6CGATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
IQD016N08NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
STP50N60DM6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
