Numéro de produit du fabricant:
IPU50R3K0CEAKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPU50R3K0CEAKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventaire:
12806065
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7gJC
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SOUMETTRE
IPU50R3K0CEAKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™ CE
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
13V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
84 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
26W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IPU50R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
2156-IPU50R3K0CEAKMA1
SP001396836
ROCINFIPU50R3K0CEAKMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD3NK50Z-1
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4279
NUMÉRO DE PIÈCE
STD3NK50Z-1-DG
PRIX UNITAIRE
0.26
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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