Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
Haiti
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
Haiti
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IPP90N06S404AKSA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP90N06S404AKSA2-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12803613
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPP90N06S404AKSA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP90N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IPP90N06S404AKSA2-DG
Fiches techniques
IPP90N06S404AKSA2
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP001028750
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R9-60PSQ
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
5021
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN3R9-60PSQ-DG
PRIX UNITAIRE
1.29
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP130N6F7
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2694
NUMÉRO DE PIÈCE
STP130N6F7-DG
PRIX UNITAIRE
0.77
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP230N075T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
24
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP230N075T2-DG
PRIX UNITAIRE
3.38
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF7779L2TRPBF
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
IRFSL4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO262
IRFU3518-701PBF
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK