Numéro de produit du fabricant:
IPP80N06S2L06AKSA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP80N06S2L06AKSA2-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
12804683
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SOUMETTRE
IPP80N06S2L06AKSA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 180µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP80N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
2156-IPP80N06S2L06AKSA2-IT
SP001067882
INFINFIPP80N06S2L06AKSA2
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP90N06-6M0P-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
581
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP90N06-6M0P-E3-DG
PRIX UNITAIRE
1.30
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP80NF55-06
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
999
NUMÉRO DE PIÈCE
STP80NF55-06-DG
PRIX UNITAIRE
1.54
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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