Numéro de produit du fabricant:
IPP220N25NFDAKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP220N25NFDAKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 61A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
970 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803684
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SOUMETTRE
IPP220N25NFDAKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
61A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7076 pF @ 125 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP220
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001108126
IPP220N25NFDAKSA1-DG
448-IPP220N25NFDAKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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