IPP023NE7N3GXKSA1
Numéro de produit du fabricant:

IPP023NE7N3GXKSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPP023NE7N3GXKSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Inventaire:

460 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12806021
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SOUMETTRE

IPP023NE7N3GXKSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14400 pF @ 37.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP023

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G E8177-DG
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3GCTINACTIVE
2156-IPP023NE7N3GXKSA1-448
IPP023NE7N3 GTR-DG
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
IPP023NE7N3GDKRINACTIVE
IPP023NE7N3 G-DG
IPP023NE7N3 GCT
IPP023NE7N3 GDKR-DG
IPP023NE7N3 GCT-DG
IPP023NE7N3 GDKR
IPP023NE7N3 GDKRINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 GCTINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 G E8177
SP000641722

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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