Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
Haiti
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
Haiti
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IPP023NE7N3GXKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
460 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12806021
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPP023NE7N3GXKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14400 pF @ 37.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP023
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
Fiches techniques
IPP023NE7N3GXKSA1
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G E8177-DG
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3GCTINACTIVE
2156-IPP023NE7N3GXKSA1-448
IPP023NE7N3 GTR-DG
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
IPP023NE7N3GDKRINACTIVE
IPP023NE7N3 G-DG
IPP023NE7N3 GCT
IPP023NE7N3 GDKR-DG
IPP023NE7N3 GCT-DG
IPP023NE7N3 GDKR
IPP023NE7N3 GDKRINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 GCTINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 G E8177
SP000641722
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFH8330TRPBF
MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
IRLZ44ZL
MOSFET N-CH 55V 51A TO262
SPP80N04S2-H4
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRF7663
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8