Numéro de produit du fabricant:
IPL65R660E6AUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPL65R660E6AUMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventaire:
12801359
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SOUMETTRE
IPL65R660E6AUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™ E6
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
440 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-VSON-4
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Numéro de produit de base
IPL65R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SP000895212
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
2A (4 Weeks)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPL60R185P7AUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
5980
NUMÉRO DE PIÈCE
IPL60R185P7AUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.15
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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