Numéro de produit du fabricant:
IPG20N10S4L35ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPG20N10S4L35ATMA1-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Description détaillée:
Mosfet Array 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventaire:
39553 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803706
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPG20N10S4L35ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
100V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 16µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1105pF @ 25V
Puissance - Max
43W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-4
Numéro de produit de base
IPG20N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
SP000859022
IPG20N10S4L35ATMA1DKR
IPG20N10S4L35ATMA1TR
2156-IPG20N10S4L35ATMA1TR
IPG20N10S4L35ATMA1-DG
IPG20N10S4L35ATMA1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF7309QTRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
IRF7379
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
IRFH7911TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
