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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IPG20N06S2L50ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPG20N06S2L50ATMA1-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Description détaillée:
Mosfet Array 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventaire:
10000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848927
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SOUMETTRE
IPG20N06S2L50ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
55V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 19µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560pF @ 25V
Puissance - Max
51W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-4
Numéro de produit de base
IPG20N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IPG20N06S2L50ATMA1-DG
Fiches techniques
IPG20N06S2L50ATMA1
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
IPG20N06S2L-50-DG
448-IPG20N06S2L50ATMA1TR
IPG20N06S2L50ATMA1TR
IPG20N06S2L50ATMA1TR-DG
448-IPG20N06S2L50ATMA1CT
SP000613728
448-IPG20N06S2L50ATMA1DKR
INFINFIPG20N06S2L50ATMA1
2156-IPG20N06S2L50ATMA1
IPG20N06S2L-50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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