Numéro de produit du fabricant:
IPDD60R075CFD7XTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPDD60R075CFD7XTMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Description détaillée:
N-Channel 600 V 40A (Tc) 266W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Inventaire:
12983070
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPDD60R075CFD7XTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CFD7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
75mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 570µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2102 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
266W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HDSOP-10-1
Emballage / Caisse
10-PowerSOP Module
Numéro de produit de base
IPDD60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,700
Autres noms
SP003803306
2156-IPDD60R075CFD7XTMA1
448-IPDD60R075CFD7XTMA1DKR
448-IPDD60R075CFD7XTMA1CT
448-IPDD60R075CFD7XTMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
UF3C120080B7S
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
SSM3K341R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
