Numéro de produit du fabricant:
IPD15N06S2L64ATMA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD15N06S2L64ATMA2-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Description détaillée:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventaire:
4268 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800647
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SOUMETTRE
IPD15N06S2L64ATMA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
64mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
354 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
47W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-11
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD15N06
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
INFINFIPD15N06S2L64ATMA2
IPD15N06S2L64ATMA2TR
IPD15N06S2L64ATMA2CT
2156-IPD15N06S2L64ATMA2
SP001063644
IPD15N06S2L64ATMA2DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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