Numéro de produit du fabricant:
IPC302N08N3X1SA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPC302N08N3X1SA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
Description détaillée:
N-Channel 80 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Inventaire:
12803248
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SOUMETTRE
IPC302N08N3X1SA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Bulk
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Vgs (max.)
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Sawn on foil
Emballage / Caisse
Die
Numéro de produit de base
IPC302N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
448-IPC302N08N3X1SA1
SP000476912
IPC302N08N3X1SA1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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IPC65R070C6X1SA1
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