Numéro de produit du fabricant:
IPB60R380C6ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB60R380C6ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
12847960
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPB60R380C6ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C6
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 320µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
700 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB60R380
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB60R380C6DKR-DG
IPB60R380C6ATMA1TR
IPB60R380C6CT
IPB60R380C6CT-DG
IPB60R380C6
IPB60R380C6TR-DG
IPB60R380C6ATMA1DKR
IPB60R380C6-DG
2156-IPB60R380C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1CT
ROCINFIPB60R380C6ATMA1
SP000660634
IPB60R380C6DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14G65W5,RQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TK14G65W5,RQ-DG
PRIX UNITAIRE
1.19
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011ENJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011ENJTL-DG
PRIX UNITAIRE
1.56
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13NM60N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1000
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13NM60N-DG
PRIX UNITAIRE
2.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2210
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011KNJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
R6011KNJTL-DG
PRIX UNITAIRE
0.87
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
FQA5N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
FDMC7582
MOSFET N-CH 25V 16.7A/49A PWR33
FQPF14N30
MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F
