IPB160N04S203ATMA4
Numéro de produit du fabricant:

IPB160N04S203ATMA4

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPB160N04S203ATMA4-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Description détaillée:
N-Channel 40 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

Inventaire:

995 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803528
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SOUMETTRE

IPB160N04S203ATMA4 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-7-3
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
IPB160

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB160N04S203ATMA4-DG
INFINFIPB160N04S203ATMA4
SP001058962
2156-IPB160N04S203ATMA4
IPB160N04S203ATMA4CT
IPB160N04S203ATMA4DKR
IPB160N04S203ATMA4TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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