Numéro de produit du fabricant:
IPA60R180P7XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPA60R180P7XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventaire:
484 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12801753
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SOUMETTRE
IPA60R180P7XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1081 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
26W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA60R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
448-IPA60R180P7XKSA1
IPA60R180P7XKSA1-DG
SP001606042
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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