Numéro de produit du fabricant:
IPA50R280CEXKSA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPA50R280CEXKSA2-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220
Description détaillée:
N-Channel 500 V 7.5A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventaire:
500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13063946
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPA50R280CEXKSA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ CE
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
13V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 350µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
773 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA50R280
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001217218
IPA50R280CEXKSA2-ND
448-IPA50R280CEXKSA2
2156-IPA50R280CEXKSA2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPA50R800CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
