Numéro de produit du fabricant:
IMYH200R100M1HXKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IMYH200R100M1HXKSA1-DG
Description:
SIC DISCRETE
Description détaillée:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Inventaire:
13002564
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SOUMETTRE
IMYH200R100M1HXKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolSiC™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de vidange à la source (Vdss)
2000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
131mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+20V, -7V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
217W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-4-U04
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
IMYH200
Informations supplémentaires
Forfait standard
240
Autres noms
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMN2009UFDF-7
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