Numéro de produit du fabricant:
IGOT60R070D1E8220AUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IGOT60R070D1E8220AUMA1-DG
Description:
GAN HV
Description détaillée:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-87
Inventaire:
12965866
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SOUMETTRE
IGOT60R070D1E8220AUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolGaN™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (max.)
-10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
380 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-DSO-20-87
Emballage / Caisse
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
SP001671790
448-IGOT60R070D1E8220AUMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IGOT60R070D1AUMA3
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1105
NUMÉRO DE PIÈCE
IGOT60R070D1AUMA3-DG
PRIX UNITAIRE
8.95
TYPE DE SUBSTITUT
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