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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
BSS87H6327XTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSS87H6327XTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Description détaillée:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Inventaire:
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12800380
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SOUMETTRE
BSS87H6327XTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
240 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 108µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
97 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT89-4-2
Emballage / Caisse
TO-243AA
Numéro de produit de base
BSS87
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
BSS87H6327XTSA1-DG
Fiches techniques
BSS87H6327XTSA1
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001195034
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS87H6327FTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
25607
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS87H6327FTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
TN2524N8-G
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
2765
NUMÉRO DE PIÈCE
TN2524N8-G-DG
PRIX UNITAIRE
1.05
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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