BSP298L6327HUSA1
Numéro de produit du fabricant:

BSP298L6327HUSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSP298L6327HUSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 400 V 500mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Inventaire:

12850848
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SOUMETTRE

BSP298L6327HUSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
400 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4-21
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
BSP298 L6327-DG
SP000088258
BSP298 L6327
INFINFBSP298L6327HUSA1
2156-BSP298L6327HUSA1-ITTR
BSP298L6327HUSA1TR
BSP298L6327XT

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STN3N40K3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
65269
NUMÉRO DE PIÈCE
STN3N40K3-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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