Numéro de produit du fabricant:
BSF030NE2LQXUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSF030NE2LQXUMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 24A (Ta), 75A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventaire:
12799873
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BSF030NE2LQXUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta), 75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1700 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.2W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Emballage / Caisse
3-WDSON
Numéro de produit de base
BSF030
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSF030NE2LQTR-DG
SP000756348
BSF030NE2LQXUMA1CT
BSF030NE2LQDKR
BSF030NE2LQXUMA1TR
BSF030NE2LQCT
BSF030NE2LQCT-DG
BSF030NE2LQXUMA1DKR
BSF030NE2LQ
BSF030NE2LQDKR-DG
BSF030NE2LQ-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPB70N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
