BSD316SNH6327XTSA1
Numéro de produit du fabricant:

BSD316SNH6327XTSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSD316SNH6327XTSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO

Inventaire:

30853 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799965
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SOUMETTRE

BSD316SNH6327XTSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 3.7µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
94 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT363-PO
Emballage / Caisse
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
BSD316

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
BSD316SNH6327XTSA1-DG
BSD316SN H6327
448-BSD316SNH6327XTSA1DKR
BSD316SN H6327-DG
448-BSD316SNH6327XTSA1CT
448-BSD316SNH6327XTSA1TR
SP000917668

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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